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电子元器件详细资料 » IC[307] » NTMD4N03R2G
型号:NTMD4N03R2G类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C60 毫欧 @ 4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs16nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds400pF @ 20V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
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